Compania noastră nu este producător, distribuitor autorizat sau reprezentant autorizat al mărcii onsemi în România. Mărcile private și numerele de articol afișate pe acest site web sunt proprietatea deținătorilor respectivi.
Producător
onsemi
Țara
USA
Numărul piesei
FDB86363-F085
Descriere
N-Kanal, 80 V, 110 A, 0,0038 Ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Typenbezeichnung: DB86363F085 Transistortyp: MOSFET Steuerkanaltyp: N-Kanal Maximale Verlustleistung (Pd): 300 W Maximale Drain-Spannung -Quelle |Vds| : 80 V Maximale Gate-Source-Spannung |Vgs|: 20 V Maximale Gate-Schwellenspannung |Vgs(th)|: 4 V Maximaler Drain-Strom |Id|: 110 A Maximale Sperrschichttemperatur (Tj): 175 °C Gate-Gesamtladung (Qg): 131 nC Anstiegszeit (tr): 129 ns Drain-Source-Kapazität (Cd): 1400 pF Maximaler Drain-Source-Einschaltwiderstand (Rds): 0,0024 Ohm
Disponibilitate în stoc:
La cerere
Prețul: La cerere
La cerere
Aveți nevoie de mai multe poziții?
Trimiteți cererea dvs. prin e-mail:
